BYV10ED-600PJ - DIODE GEN PURP 600V 10A DPAK
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
DIODE GEN PURP 600V 10A DPAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
25928 Pieces
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Spécifications pour BYV10ED-600PJ
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
BYV10ED-600PJ
Fabricant :
WeEn Semiconductors
La description :
DIODE GEN PURP 600V 10A DPAK
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de diode :
Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) :
600V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) :
10A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si :
2V @ 10A
La vitesse :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) :
50ns
Courant - Fuite inverse @ Vr :
10µA @ 600V
Capacité @ Vr, F :
-
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareils du fournisseur :
DPAK
Température de fonctionnement - Jonction :
175°C (Max)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour BYV10ED-600PJ
Feuilles de données :
BYV10ED-600PJ.pdf
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