19MT050XF - MOSFET 4N-CH 500V 31A MTP

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MOSFET 4N-CH 500V 31A MTP
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Spécifications pour 19MT050XF

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : 19MT050XF
Fabricant : Vishay Semiconductor Diodes Division
La description : MOSFET 4N-CH 500V 31A MTP
Séries : HEXFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : 4 N-Channel (H-Bridge)
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 500V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 31A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 220 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 160nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 7210pF @ 25V
Puissance - Max : 1140W
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Chassis Mount
Paquet / caisse : 16-MTP Module
Package d'appareils du fournisseur : 16-MTP
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : 19M , 19MT

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Feuilles de données : 19MT050XF.pdf

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