BSO200N03 - MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO

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MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour BSO200N03

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : BSO200N03
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO
Séries : OptiMOS™
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 13µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 8nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1010pF @ 15V
Puissance - Max : 1.4W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : PG-DSO-8
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : BSO , BSO2

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