BSO200N03 - MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-BSO200N03
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
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Spécifications pour BSO200N03
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
BSO200N03
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO
Séries :
OptiMOS™
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) :
30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
6.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 13µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
8nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
1010pF @ 15V
Puissance - Max :
1.4W
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur :
PG-DSO-8
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour BSO200N03
Feuilles de données :
BSO200N03.pdf
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