BSO203PNTMA1 - MOSFET 2P-CH 20V 8.2A 8SOIC

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MOSFET 2P-CH 20V 8.2A 8SOIC
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour BSO203PNTMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : BSO203PNTMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET 2P-CH 20V 8.2A 8SOIC
Séries : OptiMOS™
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : 2 P-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 8.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 48.6nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2242pF @ 15V
Puissance - Max : 2W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : P-DSO-8
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : BSO2 , BSO203

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Feuilles de données : BSO203PNTMA1.pdf

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