TK12V60W,LVQ - MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-TK12V60W,LVQ
Fabricant
Brève description
MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour TK12V60W,LVQ
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : TK12V60W,LVQ
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN
Séries : DTMOSIV
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 11.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 600µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 890pF @ 300V
Caractéristique FET : Super Junction
Dissipation de puissance (max) : 104W (Tc)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 4-DFN-EP (8x8)
Paquet / caisse : 4-VSFN Exposed Pad
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour TK12V60W,LVQ
Feuilles de données : TK12V60W,LVQ.pdf
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