IXFT21N50Q - MOSFET N-CH 500V 21A TO-268

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MOSFET N-CH 500V 21A TO-268
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Spécifications pour IXFT21N50Q

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IXFT21N50Q
Fabricant : IXYS
La description : MOSFET N-CH 500V 21A TO-268
Séries : HiPerFET™
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 500V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 21A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 4mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 84nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3000pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 280W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : TO-268
Paquet / caisse : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IXF , IXFT2

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