AOB411L_001 - MOSFET P-CH 60V 8A TO263
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-AOB411L_001
Fabricant
Brève description
MOSFET P-CH 60V 8A TO263
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
22928 Pieces
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Spécifications pour AOB411L_001
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
AOB411L_001
Fabricant :
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
La description :
MOSFET P-CH 60V 8A TO263
Séries :
-
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
P-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
8A (Ta), 78A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
16.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
100nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
6400pF @ 30V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
187W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
TO-263 (D²Pak)
Paquet / caisse :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour AOB411L_001
Feuilles de données :
AOB411L_001.pdf
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