FQA8N80C_F109 - MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P

Référence fabricant

FQA8N80C_F109

Numéro de pièce interne

AX-FQA8N80C_F109

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour FQA8N80C_F109

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FQA8N80C_F109

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P

Séries : QFET®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 800V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 8.4A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.55 Ohm @ 4.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 45nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2050pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 220W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-3P

Paquet / caisse : TO-3P-3, SC-65-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FQA8 , FQA8N8

Documents pour FQA8N80C_F109

Feuilles de données : FQA8N80C_F109.pdf

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