IXFA130N10T2 - MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA

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MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA
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Spécifications pour IXFA130N10T2

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IXFA130N10T2
Fabricant : IXYS
La description : MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA
Séries : GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 130A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.1 mOhm @ 65A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 130nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 6600pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 360W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : TO-263 (IXFA)
Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IXFA , IXFA13

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Feuilles de données : IXFA130N10T2.pdf

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