FDS5690 - MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-FDS5690
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour FDS5690
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : FDS5690
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
Séries : PowerTrench®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 32nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1107pF @ 30V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2.5W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 8-SOIC
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour FDS5690
Feuilles de données : FDS5690.pdf
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