UH1B-M3/5AT - DIODE GEN PURP 1A SMA
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-UH1B-M3/5AT
Fabricant
Brève description
DIODE GEN PURP 1A SMA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
66965 Pieces
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Spécifications pour UH1B-M3/5AT
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : UH1B-M3/5AT
Fabricant : Vishay Semiconductor Diodes Division
La description : DIODE GEN PURP 1A SMA
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 100V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 1A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.05V @ 1A
La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 30ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 1µA @ 100V
Capacité @ Vr, F : 17pF @ 4V, 1MHz
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : DO-214AC, SMA
Package d'appareils du fournisseur : DO-214AC (SMA)
Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 175°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour UH1B-M3/5AT
Feuilles de données : UH1B-M3/5AT.pdf
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