RQ3E080GNTB - MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT

Référence fabricant

RQ3E080GNTB

Numéro de pièce interne

AX-RQ3E080GNTB

Fabricant

Rohm Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour RQ3E080GNTB

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : RQ3E080GNTB

Fabricant : Rohm Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 8A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16.7 mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 5.8nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 295pF @ 15V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 2W (Ta), 15W (Tc)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 8-HSMT (3.2x3)

Paquet / caisse : 8-PowerVDFN

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : RQ3 , RQ3E0

Documents pour RQ3E080GNTB

Feuilles de données : RQ3E080GNTB.pdf

Produits associés pour RQ3E080GNTB Rohm Semiconductor

Numéro d'article	Marque	La description
CDR31BX332BKZPAB	Vishay Vitramon	CAP CER 3300PF 100V BX 0805.
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VJ0603Q3R3CEAAO	Vishay Vitramon	CAP CER 3.3PF 50V C0G/NP0 0603.
WF165380WQ75236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
WF135250WL50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 16KV SCREW.
WF110250WJ47238BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 4700PF 14KV SCREW.
WX095162WJ25236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 2500PF 14KV SCREW.
WI140266WQ75236BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.