TN0110N3-G-P002 - MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3

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MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3
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Spécifications pour TN0110N3-G-P002

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : TN0110N3-G-P002
Fabricant : Microchip Technology
La description : MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 350mA (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 500µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 60pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-92-3
Paquet / caisse : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : TN011 , TN0110N

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Feuilles de données : TN0110N3-G-P002.pdf

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