PSMN4R2-30MLDX - MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
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MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour PSMN4R2-30MLDX
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
PSMN4R2-30MLDX
Fabricant :
Nexperia USA Inc.
La description :
MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
70A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.3 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
29.3nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
1795pF @ 15V
Caractéristique FET :
Schottky Diode (Body)
Dissipation de puissance (max) :
65W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
LFPAK33
Paquet / caisse :
SOT-1210, 8-LFPAK33
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour PSMN4R2-30MLDX
Feuilles de données :
PSMN4R2-30MLDX.pdf
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Vishay Beyschlag |
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