BYV29G-600,127 - DIODE GEN PURP 600V 9A I2PAK

Référence fabricant

BYV29G-600,127

Numéro de pièce interne

AX-BYV29G-600,127

Fabricant

WeEn Semiconductors

Brève description

DIODE GEN PURP 600V 9A I2PAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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42486 Pieces

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Spécifications pour BYV29G-600,127

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : BYV29G-600,127

Fabricant : WeEn Semiconductors

La description : DIODE GEN PURP 600V 9A I2PAK

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de diode : Standard

Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 600V

Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 9A

Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.25V @ 8A

La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Temps de récupération inverse (trr) : 60ns

Courant - Fuite inverse @ Vr : 50µA @ 600V

Capacité @ Vr, F : -

Type de montage : Through Hole

Paquet / caisse : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Package d'appareils du fournisseur : I2PAK

Température de fonctionnement - Jonction : 150°C (Max)

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : BYV2 , BYV29G-

Documents pour BYV29G-600,127

Feuilles de données : BYV29G-600,127.pdf

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