IPDD60R102G7XTMA1 - MOSFET NCH 650V 66A PG-HDSOP-10

Référence fabricant

IPDD60R102G7XTMA1

Numéro de pièce interne

AX-IPDD60R102G7XTMA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET NCH 650V 66A PG-HDSOP-10

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IPDD60R102G7XTMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IPDD60R102G7XTMA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET NCH 650V 66A PG-HDSOP-10

Séries : CoolMOS™ G7

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 600V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 23A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 102 mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 390µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1320pF @ 400V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 139W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PG-HDSOP-10-1

Paquet / caisse : 10-PowerSOP Module

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IPDD6 , IPDD60R1

Documents pour IPDD60R102G7XTMA1

Feuilles de données : IPDD60R102G7XTMA1.pdf

Produits associés pour IPDD60R102G7XTMA1 Infineon Technologies

Numéro d'article	Marque	La description
TF170279BQ50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 25KV R85.
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B37987F1223M051	EPCOS (TDK)	CAP CER 0.022UF 100V X7R RADIAL.
WI085175WJ22238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 2200PF 14KV.
BZ120055WC16136CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 160PF 9KV AXIAL.
WF165336WQ75238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
WF095220WF50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 12KV SCREW.
WF110250WJ47238BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 4700PF 14KV SCREW.