FDD7N25LZTM - MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK-3
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-FDD7N25LZTM
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK-3
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour FDD7N25LZTM
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
FDD7N25LZTM
Fabricant :
ON Semiconductor
La description :
MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK-3
Séries :
UniFET™
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
250V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
6.2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
550 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
16nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
635pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
56W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
D-Pak
Paquet / caisse :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour FDD7N25LZTM
Feuilles de données :
FDD7N25LZTM.pdf
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