IRFH4255DTRPBF - MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN
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Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IRFH4255DTRPBF
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
IRFH4255DTRPBF
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN
Séries :
HEXFET®
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) :
25V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
64A, 105A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 35µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
1314pF @ 13V
Puissance - Max :
31W, 38W
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
8-PowerVDFN
Package d'appareils du fournisseur :
PQFN (5x6)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour IRFH4255DTRPBF
Feuilles de données :
IRFH4255DTRPBF.pdf
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