NP109N04PUG-E1-AY - MOSFET N-CH 40V 110A TO-263

Référence fabricant

NP109N04PUG-E1-AY

Numéro de pièce interne

AX-NP109N04PUG-E1-AY

Fabricant

Renesas Electronics America

Brève description

MOSFET N-CH 40V 110A TO-263

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour NP109N04PUG-E1-AY

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : NP109N04PUG-E1-AY

Fabricant : Renesas Electronics America

La description : MOSFET N-CH 40V 110A TO-263

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 40V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 110A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.3 mOhm @ 55A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 270nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 15750pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 1.8W (Ta), 220W (Tc)

Température de fonctionnement : 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : TO-263-3

Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : NP109 , NP109N04

Documents pour NP109N04PUG-E1-AY

Feuilles de données : NP109N04PUG-E1-AY.pdf

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