IR25600PBF - IC DUAL MOSFET IGBT 8-DIP

Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
IC DUAL MOSFET IGBT 8-DIP
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IR25600PBF

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IR25600PBF
Fabricant : Infineon Technologies
La description : IC DUAL MOSFET IGBT 8-DIP
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Configuration pilotée : Low-Side
Type de canal : Independent
Nombre de conducteurs : 2
Type de porte : IGBT, N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation : 6V ~ 20V
Tension logique - VIL, VIH : 0.8V, 2.7V
Courant - sortie de crête (source, puits) : 2.3A, 3.3A
Type d'entrée : Non-Inverting
Haute tension latérale - Max (Bootstrap) : -
Temps de montée / descente (type) : 15ns, 10ns
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Paquet / caisse : 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Package d'appareils du fournisseur : 8-PDIP
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IR2 , IR256

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