IXTH10N100D - MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247

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MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247
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Spécifications pour IXTH10N100D

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IXTH10N100D
Fabricant : IXYS
La description : MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 1000V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 10A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 130nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2500pF @ 25V
Caractéristique FET : Depletion Mode
Dissipation de puissance (max) : 400W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-247 (IXTH)
Paquet / caisse : TO-247-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IXT , IXTH1

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Feuilles de données : IXTH10N100D.pdf

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