IRF60B217 - MOSFET N-CH 60V 60A
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-IRF60B217
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 60V 60A
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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Spécifications pour IRF60B217
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IRF60B217
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 60V 60A
Séries : StrongIRFET™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 60A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 36A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 50µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 66nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2230pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 83W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-220AB
Paquet / caisse : TO-220-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour IRF60B217
Feuilles de données : IRF60B217.pdf
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