2N6661JAN02 - MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

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MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
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Spécifications pour 2N6661JAN02

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : 2N6661JAN02
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 90V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 860mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 50pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-39
Paquet / caisse : TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : 2N6 , 2N666

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Feuilles de données : 2N6661JAN02.pdf

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