NCP5359AMNTBG - IC MOSFET GATE DVR DUAL 8-DFN
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Brève description
IC MOSFET GATE DVR DUAL 8-DFN
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour NCP5359AMNTBG
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : NCP5359AMNTBG
Fabricant : ON Semiconductor
La description : IC MOSFET GATE DVR DUAL 8-DFN
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Configuration pilotée : Half-Bridge
Type de canal : Synchronous
Nombre de conducteurs : 2
Type de porte : N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation : 10V ~ 13.2V
Tension logique - VIL, VIH : 1V, 2V
Courant - sortie de crête (source, puits) : -
Type d'entrée : Non-Inverting
Haute tension latérale - Max (Bootstrap) : 30V
Temps de montée / descente (type) : 16ns, 15ns
Température de fonctionnement : 0°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-VFDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur : 8-DFN (2x2)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour NCP5359AMNTBG
Feuilles de données : NCP5359AMNTBG.pdf
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