APTSM120AM55CT1AG - POWER MODULE - SIC
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Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
POWER MODULE - SIC
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour APTSM120AM55CT1AG
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
APTSM120AM55CT1AG
Fabricant :
Microsemi Corporation
La description :
POWER MODULE - SIC
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
2 N-Channel (Dual), Schottky
Caractéristique FET :
Silicon Carbide (SiC)
Drain à la tension source (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 2mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
272nC @ 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
5120pF @ 1000V
Puissance - Max :
470W
Température de fonctionnement :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage :
Chassis Mount
Paquet / caisse :
SP1
Package d'appareils du fournisseur :
SP1
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour APTSM120AM55CT1AG
Feuilles de données :
APTSM120AM55CT1AG.pdf
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