C2M0080170P - ZFET SIC DMOSFET 1700V VDS RDS
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-C2M0080170P
Fabricant
Brève description
ZFET SIC DMOSFET 1700V VDS RDS
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour C2M0080170P
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : C2M0080170P
Fabricant : Cree/Wolfspeed
La description : ZFET SIC DMOSFET 1700V VDS RDS
Séries : C2M™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension source (Vdss) : 1700V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 40A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 28A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 10mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 120nC @ 20V
Vgs (Max) : +25V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2250pF @ 1000V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 277W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-247-4L
Paquet / caisse : TO-247-4
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour C2M0080170P
Feuilles de données : C2M0080170P.pdf
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