DMN2029USD-13 - MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO
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Brève description
MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour DMN2029USD-13
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
DMN2029USD-13
Fabricant :
Diodes Incorporated
La description :
MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) :
20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
5.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
18.6nC @ 8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
1171pF @ 10V
Puissance - Max :
1.2W
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur :
8-SO
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour DMN2029USD-13
Feuilles de données :
DMN2029USD-13.pdf
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