NDD60N550U1-35G - MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-3
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MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-3
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour NDD60N550U1-35G
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : NDD60N550U1-35G
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-3
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 8.2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 550 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 540pF @ 50V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 94W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : IPAK (TO-251)
Paquet / caisse : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour NDD60N550U1-35G
Feuilles de données : NDD60N550U1-35G.pdf
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