IPD65R1K4CFDBTMA1 - MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252

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Brève description
MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252
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Spécifications pour IPD65R1K4CFDBTMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IPD65R1K4CFDBTMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252
Séries : CoolMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 262pF @ 100V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 28.4W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PG-TO252-3
Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IPD65 , IPD65R1K

Documents pour IPD65R1K4CFDBTMA1

Feuilles de données : IPD65R1K4CFDBTMA1.pdf

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