MRF8VP13350GNR3 - TRANS RF LDMOS 350W 50V
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
TRANS RF LDMOS 350W 50V
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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5424 Pieces
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Spécifications pour MRF8VP13350GNR3
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
MRF8VP13350GNR3
Fabricant :
NXP USA Inc.
La description :
TRANS RF LDMOS 350W 50V
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de transistor :
LDMOS (Dual)
La fréquence :
1.3GHz
Gain :
19.2dB
Tension - Test :
50V
Note actuelle :
-
Figure de bruit :
-
Courant - Test :
100mA
Puissance - sortie :
350W
Tension - nominale :
100V
Paquet / caisse :
OM-780G-4L
Package d'appareils du fournisseur :
OM-780G-4L
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour MRF8VP13350GNR3
Feuilles de données :
MRF8VP13350GNR3.pdf
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