IPB80N06S2L11ATMA2 - MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

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MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IPB80N06S2L11ATMA2

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IPB80N06S2L11ATMA2
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Séries : OptiMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.7 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 93µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 80nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2075pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 158W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PG-TO263-3-2
Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IPB80N , IPB80N06S

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Feuilles de données : IPB80N06S2L11ATMA2.pdf

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