APTGTQ200DA65T3G - POWER MODULE - IGBT
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Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
POWER MODULE - IGBT
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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Spécifications pour APTGTQ200DA65T3G
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : APTGTQ200DA65T3G
Fabricant : Microsemi Corporation
La description : POWER MODULE - IGBT
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type IGBT : -
Configuration : Boost Chopper
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 200A
Puissance - Max : 483W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.2V @ 15V, 200A
Courant - Coupure Collecteur (Max) : 200µA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce : 12nF @ 25V
Contribution : Standard
Thermistance NTC : Yes
Température de fonctionnement : -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Chassis Mount
Paquet / caisse : Module
Package d'appareils du fournisseur : SP3F
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour APTGTQ200DA65T3G
Feuilles de données : APTGTQ200DA65T3G.pdf
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