PSMN102-200Y,115 - MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK
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MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour PSMN102-200Y,115
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
PSMN102-200Y,115
Fabricant :
Nexperia USA Inc.
La description :
MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK
Séries :
TrenchMOS™
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
21.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
102 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
30.7nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
1568pF @ 30V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
113W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
LFPAK56, Power-SO8
Paquet / caisse :
SC-100, SOT-669
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour PSMN102-200Y,115
Feuilles de données :
PSMN102-200Y,115.pdf
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