AUIRF2903ZS - MOSFET N-CH 30V 235A D2PAK

Référence fabricant

AUIRF2903ZS

Numéro de pièce interne

AX-AUIRF2903ZS

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 30V 235A D2PAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

15960 Pieces

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Spécifications pour AUIRF2903ZS

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : AUIRF2903ZS

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 30V 235A D2PAK

Séries : HEXFET®

Statut de la pièce : Discontinued at Digi-Key

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 160A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.4 mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 150µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 240nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 6320pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 231W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : D2PAK

Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : AUI , AUIRF

Documents pour AUIRF2903ZS

Feuilles de données : AUIRF2903ZS.pdf

Produits associés pour AUIRF2903ZS Infineon Technologies

Numéro d'article	Marque	La description
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