ZXMNS3BM832TA - MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP

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MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP
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Spécifications pour ZXMNS3BM832TA

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : ZXMNS3BM832TA
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 2.9nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 314pF @ 15V
Caractéristique FET : Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max) : 1W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 8-MLP, MicroFET (3x2)
Paquet / caisse : 8-VDFN Exposed Pad
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : ZXMN , ZXMNS3

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Feuilles de données : ZXMNS3BM832TA.pdf

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