MT47H64M8SH-25E AIT:H - IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour MT47H64M8SH-25E AIT:H
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : MT47H64M8SH-25E AIT:H
Fabricant : Micron Technology Inc.
La description : IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Séries : -
Statut de la pièce : Last Time Buy
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : DRAM
La technologie : SDRAM - DDR2
Taille mémoire : 512Mb (64M x 8)
Fréquence d'horloge : 400MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : 15ns
Temps d'accès : 400ps
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 1.7V ~ 1.9V
Température de fonctionnement : -40°C ~ 95°C (TC)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 60-TFBGA
Package d'appareils du fournisseur : 60-FBGA (10x18)
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : MT47H64 , MT47H64M8S
Documents pour MT47H64M8SH-25E AIT:H
Feuilles de données : MT47H64M8SH-25E AIT:H.pdf
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 5000PF 14KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 10000PF 14KV SCREW. | ||
| Murata Electronics North America | CAP CER 5.6PF 25V C0G/NP0 01005. | ||
| AVX Corporation | CAP CER 0.022UF 16V X7R AXIAL. | ||
| Murata Electronics North America | CAP CER 8.1PF 25V NP0 0402. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 5000PF 14KV SCREW. | ||
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 10000PF 13KV R230 DISK. | ||
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