NP36P04SDG-E1-AY - MOSFET P-CH 40V 36A TO-252

Référence fabricant

NP36P04SDG-E1-AY

Numéro de pièce interne

AX-NP36P04SDG-E1-AY

Fabricant

Renesas Electronics America

Brève description

MOSFET P-CH 40V 36A TO-252

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour NP36P04SDG-E1-AY

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : NP36P04SDG-E1-AY

Fabricant : Renesas Electronics America

La description : MOSFET P-CH 40V 36A TO-252

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : P-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 40V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 36A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17 mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 55nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2800pF @ 10V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 1.2W (Ta), 56W (Tc)

Température de fonctionnement : 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : TO-252 (MP-3ZK)

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : NP36P , NP36P04S

Documents pour NP36P04SDG-E1-AY

Feuilles de données : NP36P04SDG-E1-AY.pdf

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