ALD210808ASCL - MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC

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MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC
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Spécifications pour ALD210808ASCL

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : ALD210808ASCL
Fabricant : Advanced Linear Devices Inc.
La description : MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC
Séries : EPAD®, Zero Threshold™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 4 N-Channel, Matched Pair
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 10.6V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 80mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : 20mV @ 10µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -
Puissance - Max : 500mW
Température de fonctionnement : 0°C ~ 70°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 16-SOIC
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : ALD2 , ALD210

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Feuilles de données : ALD210808ASCL.pdf

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