SPD07N20GBTMA1 - MOSFET N-CH 200V 7A TO252

Référence fabricant

SPD07N20GBTMA1

Numéro de pièce interne

AX-SPD07N20GBTMA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 200V 7A TO252

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour SPD07N20GBTMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SPD07N20GBTMA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 200V 7A TO252

Séries : SIPMOS®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 200V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 7A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 31.5nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 530pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 40W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PG-TO252-3

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SPD0 , SPD07N2

Documents pour SPD07N20GBTMA1

Feuilles de données : SPD07N20GBTMA1.pdf

Produits associés pour SPD07N20GBTMA1 Infineon Technologies

Numéro d'article	Marque	La description
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PEF220BJ80238BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 8000PF 15KV R230 DISK.
WI106266WL50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 16KV SCREW.
PE0200WJ12233BH1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1200PF 14KV R42 DISK.
BZ118078WV75036CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 75PF 30KV AXIAL.
WF110250WJ50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 14KV SCREW.
BZ080110WV25036CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 25PF 30KV.
WF125300WJ76238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7600PF 14KV SCREW.