NP23N06YDG-E1-AY - MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON

Référence fabricant

NP23N06YDG-E1-AY

Numéro de pièce interne

AX-NP23N06YDG-E1-AY

Fabricant

Renesas Electronics America

Brève description

MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

12864 Pieces

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Spécifications pour NP23N06YDG-E1-AY

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : NP23N06YDG-E1-AY

Fabricant : Renesas Electronics America

La description : MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 60V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 23A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 27 mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 41nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 1W (Ta), 60W (Tc)

Température de fonctionnement : 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : 8-HSON

Paquet / caisse : 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : NP23N , NP23N06Y

Documents pour NP23N06YDG-E1-AY

Feuilles de données : NP23N06YDG-E1-AY.pdf

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