ZXMN3A04DN8TA - MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
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Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour ZXMN3A04DN8TA
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
ZXMN3A04DN8TA
Fabricant :
Diodes Incorporated
La description :
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) :
30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
6.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 12.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA (Min)
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
36.8nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
1890pF @ 15V
Puissance - Max :
1.81W
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur :
8-SOP
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour ZXMN3A04DN8TA
Feuilles de données :
ZXMN3A04DN8TA.pdf
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| Numéro d'article | Marque | La description | Acheter |
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CAP CER 3300PF 100V BX 0805. |
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CAP CER 1500PF 14KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 4700PF 14KV SCREW. |
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Vishay Vitramon |
CAP CER 10PF 100V BP 0805. |
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Vishay Beyschlag |
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Vishay Beyschlag |
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CAP CER 10000PF 100V BP 1825. |
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