SI3460DV-T1-GE3 - MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
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MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SI3460DV-T1-GE3
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SI3460DV-T1-GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 5.1A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 450mV @ 1mA (Min)
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.1W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 6-TSOP
Paquet / caisse : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour SI3460DV-T1-GE3
Feuilles de données : SI3460DV-T1-GE3.pdf
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