DN2625K4-G - MOSFET N-CH 250V 1.1A 3DPAK
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-DN2625K4-G
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 250V 1.1A 3DPAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour DN2625K4-G
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DN2625K4-G
Fabricant : Microchip Technology
La description : MOSFET N-CH 250V 1.1A 3DPAK
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 250V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.1A (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.5 Ohm @ 1A, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 7.04nC @ 1.5V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1000pF @ 25V
Caractéristique FET : Depletion Mode
Dissipation de puissance (max) : -
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : TO-252, (D-Pak)
Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour DN2625K4-G
Feuilles de données : DN2625K4-G.pdf
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