NSBA123EDXV6T1G - TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

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TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
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Spécifications pour NSBA123EDXV6T1G

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : NSBA123EDXV6T1G
Fabricant : ON Semiconductor
La description : TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de transistor : 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 100mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 50V
Résistance - Base (R1) : 2.2 kOhms
Résistance - Base de l'émetteur (R2) : 2.2 kOhms
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 8 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 250mV @ 5mA, 10mA
Courant - Coupure Collecteur (Max) : 500nA
Fréquence - Transition : -
Puissance - Max : 500mW
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : SOT-563, SOT-666
Package d'appareils du fournisseur : SOT-563
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : NSBA1 , NSBA123

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Feuilles de données : NSBA123EDXV6T1G.pdf

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