ZXMN2F30FHQTA - MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3

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Brève description
MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour ZXMN2F30FHQTA

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : ZXMN2F30FHQTA
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3
Séries : Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4.9A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 4.8nC @ 10V
Vgs (Max) : ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 452pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.4W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : SOT-23-3
Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : ZXMN , ZXMN2F

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