MT53D256M16D1NY-046 XT ES:B - IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA

Référence fabricant

MT53D256M16D1NY-046 XT ES:B

Numéro de pièce interne

AX-MT53D256M16D1NY-046 XT ES:B

Fabricant

Micron Technology Inc.

Brève description

IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

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Spécifications pour MT53D256M16D1NY-046 XT ES:B

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : MT53D256M16D1NY-046 XT ES:B

Fabricant : Micron Technology Inc.

La description : IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA

Séries : -

Statut de la pièce : Obsolete

Type de mémoire : Volatile

Format de mémoire : DRAM

La technologie : SDRAM - Mobile LPDDR4

Taille mémoire : 16Gb (256M x 64)

Fréquence d'horloge : 2133MHz

Ecrire le temps de cycle - Word, Page : -

Temps d'accès : -

Interface mémoire : -

Tension - Alimentation : 1.1V

Température de fonctionnement : -30°C ~ 105°C (TC)

Type de montage : -

Paquet / caisse : -

Package d'appareils du fournisseur : -

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : MT53D256M , MT53D256M16D1

Documents pour MT53D256M16D1NY-046 XT ES:B

Feuilles de données : MT53D256M16D1NY-046 XT ES:B.pdf

Produits associés pour MT53D256M16D1NY-046 XT ES:B Micron Technology Inc.

Numéro d'article	Marque	La description
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CDR32BP102BJZRAC	Vishay Vitramon	CAP CER 1000PF 100V BP 1206.
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PZ0140WL10138CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 100PF 16KV DISK.
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WI085175WJ22238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 2200PF 14KV.