EPC2019 - GAN TRANS 200V 8.5A BUMPED DIE
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-EPC2019
Fabricant
Brève description
GAN TRANS 200V 8.5A BUMPED DIE
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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Spécifications pour EPC2019
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : EPC2019
Fabricant : EPC
La description : GAN TRANS 200V 8.5A BUMPED DIE
Séries : eGaN®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension source (Vdss) : 200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 8.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 7A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1.5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 2.5nC @ 5V
Vgs (Max) : +6V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 270pF @ 100V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : -
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : Die
Paquet / caisse : Die
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour EPC2019
Feuilles de données : EPC2019.pdf
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| Numéro d'article | Marque | La description | Acheter |
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