IRFR9N20DTRLPBF - MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK

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MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
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Spécifications pour IRFR9N20DTRLPBF

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IRFR9N20DTRLPBF
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Séries : HEXFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 9.4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 560pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 86W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : D-Pak
Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IRFR9 , IRFR9N2

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Feuilles de données : IRFR9N20DTRLPBF.pdf

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