MRFE6VP6600NR3 - TRANS RF LDMOS 600W 50V
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TRANS RF LDMOS 600W 50V
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour MRFE6VP6600NR3
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : MRFE6VP6600NR3
Fabricant : NXP USA Inc.
La description : TRANS RF LDMOS 600W 50V
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de transistor : LDMOS (Dual)
La fréquence : 230MHz
Gain : 24.7dB
Tension - Test : 50V
Note actuelle : -
Figure de bruit : -
Courant - Test : 100mA
Puissance - sortie : 600W
Tension - nominale : 133V
Paquet / caisse : OM780-4
Package d'appareils du fournisseur : OM780-4
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour MRFE6VP6600NR3
Feuilles de données : MRFE6VP6600NR3.pdf
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