BSP300L6327HUSA1 - MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
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Brève description
MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour BSP300L6327HUSA1
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
BSP300L6327HUSA1
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
Séries :
SIPMOS®
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
190mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 Ohm @ 190mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
230pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
1.8W (Ta)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
PG-SOT223-4
Paquet / caisse :
TO-261-4, TO-261AA
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour BSP300L6327HUSA1
Feuilles de données :
BSP300L6327HUSA1.pdf
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